Bài Tập Giải Sẵn Vật lý Bán Dẫn

ĐHBK Tp HCM – Khoa ĐĐT–BMĐT Môn: Vật lý bán dẫn –AY1516-S2 GVPT: Hồ Trung Mỹ Một số BT giải sẵn  Chương – Giới thiệu Các dụng cụ bán dẫn xây dựng từ khối xây dựng [dụng cụ]: a) Chuyển tiếp pn b) Cấu trúc MOS BG STT a) Khối xây dựng Ứng dụng dụng cụ bán dẫn  Chuyển tiếp pn  b) Cấu trúc MOS Các diode: chỉnh lưu, ổn áp (Zener), biến dung (varicap), photodiode BJT, thyristor, JFET MOSFET, cảm biến ảnh CCD CMOS, [DRAM] Các dụng cụ bán dẫn xây dựng từ khối xây dựng [dụng cụ]: a) Chuyển tiếp MS (chỉnh lưu) b) Chuyển tiếp dị thể BG STT Khối xây dựng Ứng dụng dụng cụ bán dẫn a) Chuyển tiếp MS (chỉnh lưu) Diode Schottky, Transistor Schottky, MESFET b) Chuyển tiếp dị thể Transistor hiệu cao (Td: HBT = Heterojunction Bipolar Transistor) dụng cụ quang điện tử (Td: LED) Hãy cho biết xu hướng công nghệ chế tạo bán dẫn? Thử đề xuất giải pháp đồng thời cho công suất tiêu tán thấp tốc độ chuyển mạch nhanh Giải thích BG Gồm xu hướng chính: tăng mật độ tích hợp, tốc độ xử lý cao tiêu thụ lượng thấp Ngoài sản phẩm dùng dụng cụ bán dẫn tăng thêm lượng nhớ không bốc Một giải pháp đồng thời cho công suất tiêu tán thấp tốc độ chuyển mạch nhanh giảm nguồn cấp điện cho IC:  Giảm công suất tiên tán IC: Công suất tiên tán IC IC số P = kCV2f Với k số, C điện dung gánh tải, V điện áp nguồn cấp điện, F tần số làm việc NX: V   P   Tăng tốc độ chuyển mạch: Dạng sóng chuyển mạch IC số thường có dạng NX: V   tr & tf   tốc độ chuyển mạch   Chương – Dải lượng nồng độ hạt dẫn điều kiện cân nhiệt Trong cách phân loại vật liệu rắn theo cấu trúc, kể tên cấu trúc vật liệu bán dẫn thơng dụng thường có cấu trúc nào? BG  Vật liệu rắn theo cấu trúc có: [đơn] tinh thể, đa tinh thể vơ định hình  Vật liệu bán dẫn thường có cấu trúc [đơn] tinh thể VLBD_AY1516-S2_BT giải sẵn – trang 1/7 Trong cách phân loại vật liệu theo liên kết, kể tên liên kết vật liệu bán dẫn có sử dụng liên kết nào? BG Các liên kết vật liệu: kim loại, ion, đồng hóa trị van der Waals Vật liệu bán dẫn:  nguyên tố có liên kết đồng hóa trị,  hợp chất có liên kết đồng hóa trị ion Bán dẫn nguyên tố bán dẫn hợp chất gì? Cho thí dụ với loại BG  Bán dẫn nguyên tố tạo thành từ nguyên tử có nguyên tố TD: Si  Bán dẫn hợp chất tạo thành từ nguyên tử từ nguyên tố trở lên TD: GaAs Hãy tìm số Miller mặt phẳng sau: (a) (b) BG    Chỉ số Miller mp (a) Giao mặt phẳng với hệ (x,y,z): 1, 1, 1/2 Lấy nghịch đảo: 1, 1, Chỉ số Miller (112)    Chỉ số Miller hướng tinh thề (b) Giao mặt phẳng với hệ (x,y,z): 1/2, 1,  Lấy nghịch đảo: 2, 1, Chỉ số Miller mp (210) Hãy tìm số Miller hướng tinh thể hình (a) hướng tinh thể mặt phẳng hình (b): (a) (b) BG (a) Gọi điểm B điểm A đầu đuôi tương ứng vector hướng tinh thể Khi ta có: B có tọa độ: (0, 1, 1) A có tọa độ: (1, 0, 1) Như hướng tinh thể (có O) tọa độ điểm đầu vector hiệu số tọa độ điểm đầu B – điểm cuối A: (0, 1, 1) – (1, 0, 1) = (–1, 1, 0) Chỉ số Miller hướng tinh thể 110 (b) Đặt tên cho tọa độ sau: (0, 0, 0) điểm O, (1/3, 0, 1) điểm A, (0, 1/2, 1) điểm B Gọi OM vector hướng tính thể mp M có tọa độ (x, y, z) Vì OM  mp  tích vô hướng vector thuộc mp với OM khơng Từ ta có phương trình sau:  OA  OM  (1/3, 0, 1) (x, y, z) = x/3 + + z = (1) = + y/2 + z = (2)  OB  OM  (0, 1/2, 1) (x, y, z) = –x/3 + y/2 + = (3)  AB  OM  (–1/3, 1/2, 0) (x, y, z) Từ (1) + (3)  y = –2z (3)  x = 3y/2 = –3z Như vậy: x = –3z y = –2z _ Chọn z = –1  x = y =2  (321) số Miller hướng tinh thể VLBD_AY1516-S2_BT giải sẵn – trang 2/7 Hãy vẽ a) mặt phẳng tinh thể có số Miller (241) b) mặt phẳng có hướng tinh thể [ 31 ] BG     Các giá trị chĩ số Miller: 2, 4, Chia tất cho 2: 1/2, 1, 1/4 Lấy nghịch đảo: 2, 1, Giao mp với hệ tọa độ (2, 1, 4)     Các giá trị chĩ số Miller: 2, 3, –1 Chia tất cho 6: 1/3, 1/2, –1/6 Lấy nghịch đảo: 3, 2, –6 Giao mp với hệ tọa độ (3, –6) Mp ( 31 ) có hướng tinh thể [ 31 ] Mp (241) Chú ý:  Các mp // có số Miller, b) có nghiệm khác giao với (1/3,1/2,–1/6)  Mp ( 111 ) // (111) 10 Hãy hoàn tất bảng sau: EC [eV] EV [eV] Eg [eV] Vật liệu rắn?(dẫn điện,cách điện, bán dẫn) 12 8>4 Cách điện –1 < Kim loại 5.2 3.2 < Bán dẫn 11 Cách phân loại vật liệu rắn theo khe lượng BG Phân loại vật liệu rắn theo khe lượng:  Dẫn điện: có sẵn phần điện tử dãi dẫn dải dẫn hóa trị phủ lấp  Bán dẫn: Eg = EC – EV nhỏ ( Eg < eV)  Cách điện: Eg lớn (Eg > eV) 12 Bán dẫn gián tiếp bán dẫn trực tiếp gì? Cho thí dụ với loai BG   Bán dẫn gián tiếp bán dẫn mà điện tử dịch chuyển dải dẫn dải hóa trị cần có thay đổi momentum TD: Si Bán dẫn trực tiếp bán dẫn mà điện tử dịch chuyển dải dẫn dải hóa trị khơng có thay đổi momentum TD: GaAs 13 Khi chế tạo diode phát quang (LED) người ta thường chọn loại bán dẫn có khe lượng trực tiếp hay gián tiếp? Tại sao? BG Khi chế tạo diode phát quang (LED) người ta thường chọn loại bán dẫn có khe lượng trực tiếp với loại bán dẫn việc tái hợp điện tử lỗ sinh photon bán dẫn gián tiếp thường đa số pháy xạ phonon 14 Quan hệ n p điều kiện cân nhiệt (đkcbn) thành bán dẫn loại N hay P pha vào bán dẫn Si với tạp chất: a) Al; b) P; c) nồng độ In > nồng độ Sb; d) nồng độ As > nồng độ B BG Nhận xét: Bán dẫn Si thuộc nhóm IV, chất đề thuộc nhóm III B, Al, In thuộc nhóm V P, Sb, As VLBD_AY1516-S2_BT giải sẵn – trang 3/7 Do ta có kết sau: Trường hợp Donor Acceptor Quan hệ n p Bán dẫn loại a Khơng có Al np N c Sb In nhiều np N 15 a) Xét bán dẫn GaAs (có Eg =1.42eV 300K), ánh sáng chiếu vào phải có bước sóng để bán dẫn hấp thu photon? b) Bán dẫn Si có nồng độ điện tử dãi dẩn n = 1010 cm–3 T =300K, nồng độ lỗ dải hóa trị p bao nhiêu? c) Ý nghĩa hàm phân bố Fermi-Dirac (của điện tử)? Khi nhiệt độ tăng hàm thay đổi ta nói nồng độ điện tử bị ảnh hưởng nhiệt độ? Xét bán dẫn thuần, T = 0K ni = ? BG a) Photon phải có lượng E [eV] = 1240/ [nm] Eg = 1.42 eV Suy   1240/1.42 = 873 nm b) Bán dẫn đkcbn có n = p = ni  p = 1010 cm–3 c) + Hàm phân bố Fermi-Dirac f(E) cho biết xác suất điện tử chiếm chỗ ứng với mức lượng E Khi nhiệt độ T thay đổi:  Tất f(E) qua điểm (EF, 0.5)  Nhiệt độ tăng đường cong f(E) cách xa đường cong ứng với f(E) T = 0K diện tích tạo đường tăng  n, p tăng + Xét bán dẫn thuần, T = 0K ni = (bán dẫn cách điện 0K) EF dải cấm với E > EF f(E) = 16 Xét tinh thể Silicon có Eg = 1.12 eV giữ T = 300 K a) Nếu mức Fermi EF dải cấm, tìm xác suất tìm thấy điện tử (hoặc tương đương xác suất trạng thái bị chiếm) E = EC + kT b) Lặp lại a) mức Fermi cạnh dải dẫn, nghĩa EF = EC BG a) Khi mức Fermi dải cấm EF = EC – Eg/2 f(E) Với E = EC + kT, ta có: b) Thay EF = EC E = EC + kT, ta có: 17 Giả sử Si T = 300 K pha vài tạp chất Arsenic (As) với nồng độ 1018 cm–3 Trong đkcbn, tìm: a) Nồng độ điện tử dải dẫn (Si có ni = 1010 cm–3) b) Vị trí mức Fermi, giả sử NC = 3.23 x 1019 cm–3 c) Nồng độ lỗ dải hóa trị BG a) Vì Si thuộc nhóm IV As thuộc nhóm V, tạp chất donor với nồng độ ND = 1018 cm–3 Ở T = 300 K, tất donor bị ion hóa ND >> ni, suy n = ND = 1018 cm–3 b) Từ công thức n = NCexp(–(EC–EF)/kT) suy EF = EC – kTln(NC/n) VLBD_AY1516-S2_BT giải sẵn – trang 4/7 Thay số vào, ta có: EF = EC – kTln(3.23 x 1019/1018)  EC – 3.47kT Ở T = 300 K, ta có kT = 0.026  EF  EC – 0.0902 [eV] c) Nồng độ lỗ dải hóa trị p = ni2/n = 1020/1018 = 100 cm–3 18 Xét bán dẫn Si (có ni = 1010/cm3 300 K), tìm n p đkcbn cho trường hợp sau: a) NA = 1015/cm3 >> ND b) ND = 1016/cm3 >> NA c) NA = x 1015/cm3 ND = 1016/cm3 BG a) NA=1015/cm3 >> ND  p = NA=1015 cm–3 n = ni2/p = 1020/1015 = 105 cm–3 b) ND=1016/cm3 >> NA  n = ND=1016 cm–3 p = ni2/n = 1020/1016 = 104 cm–3 c) ND – NA = 1016 – x 1015 cm–3 = x 1015 cm–3 >> ni  n = ND – NA = x 1015 cm–3 p = ni2/n = x 104 cm–3 19 Một mẫu silicon (Si) T = 300 K chứa tạp chất acceptor với nồng độ NA = 1016 cm–3 Xác định nồng độ tạp chất donor cần thêm vào mẫu Si trở thành bán dẫn loại N mức Fermi thấp cạnh dải dẫn (EC) 0.2 eV (Si có ni = 1010 cm–3 NC = 2.86 x 1019 cm–3) BG Vì muốn có bán dẫn loại N có loại tạp chất donor acceptor, suy n = ND – NA Ngồi ra, từ cơng thức n = NCexp(–(EC–EF)/kT) suy ND – NA = NCexp(–(EC–EF)/kT) Với EC – EF = 0.2 eV kT = 0.026 eV T = 300 K, ta có ND – NA = 1.3 x 1016 cm–3 Hay ND = 1.3 x 1016 + 1016 = 2.3 x 1016 cm–3 20 Tìm nồng độ điện tử lỗ mức Fermi Si 300 K với: (giả sử NV = 2.66 x 1019 cm–3) a) Nồng độ tạp chất boron (B) x 1015 cm–3 b) Nồng độ tạp chất boron (B) x 1016 cm–3 arsenic (As) 2.9 x 1016 cm–3 BG a) Vì Si thuộc nhóm IV B thuộc nhóm III, tạp chất acceptor với nồng độ NA = 1015 cm–3 Ở T = 300 K, tất donor bị ion hóa NA >> ni= 1010 cm–3, suy p = NA = 1015 cm–3 n = ni2/p = 1020 /1015 = 105 cm–3 Từ công thức p = NVexp(–(EF–EV)/kT) suy EF = EV + kTln(NV/p) với kTln(NV/p) T = 300 K 0.026 x ln(2.66 x 1019/1015) = 0.265 eV Như vậy: n = 105 cm–3, p = 1015 cm–3, EF = EV + 0.265 eV b) Vì Si thuộc nhóm IV, tạp chất B thuộc nhóm III, tạp chất As thuộc nhóm V, Suy NA = x 1016 cm–3 ND = 2.9 x 1016 cm–3, NA – ND = 1015 cm–3 >> ni Do p = NA – ND = 1015 cm–3, n = ni2/p = 1020 /1015 = 105 cm–3, EF = EV + 0.265 eV 21 Một mẫu silicon (Si) T = 300 K pha tạp chất As với nồng độ 1017 cm–3 Nồng độ điện tử nồng độ lỗ cân 300 K bao nhiêu? Vị trí EF so với Ei? (Si có ni = 1010 cm–3) BG Vì Si thuộc nhóm IV As thuộc nhóm V, tạp chất donor với nồng độ ND = 1017 cm–3 Ta có: n = ND = 1017 cm–3 p = ni2/n = 1020 /1017 = 103 cm–3 Từ công thức n = niexp((EF – Ei)/kT) suy EF = Ei + kTln(ND/ni) với kTln(ND/ni) T = 300 K 0.026 x ln(1017/1010)  0.42 eV  EF  Ei + 0.42 eV VLBD_AY1516-S2_BT giải sẵn – trang 5/7  Chương – Các tượng vận chuyển hạt dẫn 22 Xét bán dẫn nội Si, GaAs (có giá trị Eg tương ứng 1.12eV, 1.42eV) T=300K a) So sánh nồng độ điện tử dải dẫn bán dẫn này? Giải thích b) So sánh điện trở suất bán dẫn này? Giải thích BG a) Nhận xét bán dẫn có khe lượng nhỏ cần cung cấp lượng so với bán dẫn khác, số cặp điện tử lỗ sinh nhiều  nSi > nGaAs (tương tự với p) b) Áp dụng kết a) ta thấy dẫn điện bán dẫn Si > GaAs  Si < GaAs Chú ý: Ta kiểm chứng từ liệu thật bán dẫn (cho T = 300K): Vật liệu bán dẫn Si GaAs ni (cm–3) 1.45 x 1010 1.8 x 106 µn (cm2/Vs) 1350 8500 µp (cm2/Vs) 450 400 23 a) Cho trước mẫu Si có kích thước giống nhau: X Y Nếu ta pha 2x1018cm–3 tạp chất Boron (B) vào mẫu X pha 1018 cm–3 tạp chất Phosphorous(P) vào mẫu Y Nếu tỉ số µn/µp = tỉ số độ dẫn điện mẫu X so với mẫu Y: X/Y là? b) Bán dẫn loại N (được pha tạp chất đều) có điện trở suất 0.004 cm có độ linh động điện tử 1500 cm2/Vs Nếu bỏ qua đóng góp lỗ vào dẫn điện, nồng độ tạp chất ND pha vào bao nhiêu? BG a) Vì B thuộc nhóm P thuộc nhóm  X bán dẫn loại P Y bán dẫn loại N Do nồng độ tạp chất >> ni, ta có: pX = NA = 2x1018cm–3 nY = ND = 1018 cm–3 X  p = qpXµp Y  n = qnYµn Suy ra: X/Y = qpXµp/qnYµn = pXµp/nYµn = (pX/nY)/(µn/µp) = (2×1018/1018)/5 = 2/5 b) Ta có:   n = qnµn = qNDµn = 1/  ND = 1/qµn = 1/(0.004×1.6 x 10–19×1500)  1018cm–3 24 Một bán dẫn Si loại N có pha tạp chất donor ND=1015/cm3 có kích thước L = cm, H = 0.1cm W=0.5cm Bán dẫn Si có ni=1010/cm3 µn = 1250 cm2/Vs T=300oK, giả sử ta cho nồng độ hạt dẫn thiểu số = 0, có điện trở bao nhiêu? BG Ta có   n = qnµn = qNDµn   = 1/ = 1/qNDµn R = L/A = L/(WxH) = L /(W x H x qNDµn) = 1/(0.1 x 0.5 x 1.6×10–19 x1015x 1250) = 100 25 Người ta pha tạp chất ND = 5x1017cm–3 NA = x 1017cm–3 vào bán dẫn Si có diện tích mặt cắt ngang 10–2cm2, kết có điện trở 5 Hãy tìm chiều dài bán dẫn này? BG Với ND > NA ta có bán dẫn loại N với n = ND – NA = 5x1017cm–3 – x 1017cm–3 = 1017cm–3 p = ni2/n = 1020/1017 = 103 cm–3  = q(nµn + pµp)  qnµn = 24 (cm)–1 Ngồi R = L/A  L = RA/ = RA = 5 x 10–2cm2 x 24 (cm)–1 = 1.2 cm VLBD_AY1516-S2_BT giải sẵn – trang 6/7 26 Bán dẫn Si pha tạp chất X1 cho bán dẫn SC1 Fermi F1= –0.2V, bán dẫn pha tạp chất X2 cho bán dẫn SC2 Fermi F2= –0.3V Bán dẫn SC1, SC2 bán dẫn loại gì? So sánh X1 X2? BG Theo định nghĩa F = (Ei–EF)/q, F < bán dẫn xét loại N Ngoài tăng nồng độ tạp chất EF tiến đến dải dẫn hay F âm hơn! Do X1 X2 tạp chất Donor, SC1 SC2 bán dẫn loại N, F2 < F1 < suy X1 < X2 27 Người ta áp đặt điện trường E = 2x103 V/cm vào mẫu bán dẫn thấy điện tử có vận tốc trơi 3x106cm/s (giả sử vận tốc chưa bão hòa) Hãy tìm µn Dn bán dẫn này? BG Ta có: Suy ra: |vn| = µnE µn = |vn|/E = 3x106cm/s / 2x103V/cm = 1.5 x 103 cm2/Vs Ngoài theo quan hệ Einstein: Dn = VTµn = 0.025V x 1.5 x 103 cm2/Vs = 37.5 cm2/s VLBD_AY1516-S2_BT giải sẵn – trang 7/7 ĐHBK Tp HCM – Khoa ĐĐT–BMĐT Môn: Vật lý bán dẫn – HK182 GVPT: Hồ Trung Mỹ Đáp án KT lớp (15 phút) #1 (Tuần 04 – 21/02/2019) (2 đ) Hãy cho biết khối xây dựng sử dụng dụng cụ bán dẫn: phần tử nhớ DRAM, varicap, MESFET, HBT BG STT Ứng dụng dụng cụ bán dẫn Khối xây dựng Chuyển tiếp MS MESFET Chuyển tiếp pn varicap Chuyển tiếp dị thể HBT (Heterostructure Bipolar Transistor) Cấu trúc MOS phần tử nhớ DRAM (2 đ) Phân loại vật liệu rắn theo khe lượng Eg? BG · · · Chất cách điện Eg > 4eV Chất dẫn điện Eg < 0.2 eV < Chất bán dẫn Eg < eV (2 đ) Mức [năng lượng] Fermi bán dẫn loại N loại P di chuyển giản đồ dải lượng người ta tăng nồng độ tạp chất? (giả sử pha loại tạp chất) BG · · Bán dẫn loại N: tăng nồng độ tạp chất donor EF tiến đến EC gần Bán dẫn loại P: tăng nồng độ tạp chất donor EF tiến đến EV gần (4 đ) Hãy tìm số Miller mặt phẳng hình (a) hướng tinh thể hình (b): (trình bày chi tiết bước tính) BG · · · · Chỉ số Miller mp (a) Mặt phẳng giao trục (x,y,z) (2, 1, –1) Lấy nghịch đảo: 1/2, 1, –1 Nhân tất cho 2: 1, 2, –2 Mặt phẵng có số Miller ( ) · · · · · Chỉ số Miller hướng tinh thề (b) Tọa độ điểm đầu là: A = (0, 1/3, 0) Tọa độ điểm đuôi là: B = (0, 0, 1) Tính hiệu tọa độ: A – B = (0, 1/3, –1) Nhân tất cho 3: (0, 1, –3) Chỉ số Miller hướng tinh thề [ ] ĐHBK Tp HCM – Khoa ĐĐT–BMĐT Môn: Vật lý bán dẫn – HK182 GVPT: Hồ Trung Mỹ Đáp án KT lớp (15 phút) #2 (Tuần 05 – 28/02/2019) (Cho trước VT = 0.026 V 300 K) (3 đ) Xét bán dẫn có ni = 1010 cm–3 300 K, tìm n p điều kiện cân nhiệt bán dẫn loại cho trường hợp pha tạp chất sau: (Khi X/Y ≥ 100 xem X >> Y) a) NA = 1017 cm–3 ND = 2.5 x 1016 cm–3 b) NA = x 1016 cm–3 ND = 3.5 x 1017 cm–3 BG a) NA – ND = 1017 – 2.5x1016cm–3 = 7.5 x 1016cm–3 >> ni Þ p = NA– ND = 7.5 x 1016cm–3 n = ni2/p = 1020/7.5×1016 » 1333 cm–3 b) ND – NA = 3.5 x 1017 – x 1016cm–3 = 33 x 1016cm–3 >> ni Þ n = ND – NA = 3.3 x 1017 cm–3 p = ni2/n = 1020/3.3×1017 » 303 cm–3 (2 đ) Khi tăng nồng độ tạp chất bán dẫn độ linh động µn µn thay đổi nào? So sánh độ linh động µn µn, lớn hơn? Giải thích BG · · Khi tăng nồng độ tạp chất bán dẫn độ linh động µn µp giảm µn>µp điện tử ln chuyển động nhanh lỗ (chuyển động lỗ liên kết đồng hóa trị gần bị phá vỡ điện tử lỗ vị trí cũ tái hợp với điện tử tự gần đó, chuyển động chậm điện tử) (2 đ) Người ta áp đặt điện trường E = x 103V/cm vào mẫu bán dẫn thấy điện tử có vận tốc trôi = –3.5 x 106cm/s Hãy tìm µn Dn bán dẫn T = 300 K BG Ta có: = –µnE Suy ra: µn = –vn/E = 3.5 x 106cm/s / x 103 V/cm = 1750 cm2/Vs Ngoài theo quan hệ Einstein, ta tìm được: Dn = VTµn = 0.026V x 1750 cm2/Vs = 45.5 cm2/s Như T = 300 K với điều kiện đề bài, mẫu bán dẫn có µn =1750 cm2/Vs Dn = 45.5 cm2/s (3 đ) Hãy vẽ mức Fermi tương Ei Si điều kiện cân nhiệt cho trường hợp sau: (ở T = 300 K bán dẫn có Eg = 1.2 eV, ni = 1010/cm3) a) Pha vào tạp chất donor với nồng độ x 1015 cm–3 b) Pha vào tạp chất acceptor với nồng độ x 1015 cm–3 BG a) Tạp chất donor với nồng độ x 1015 cm–3 b) Tạp chất acceptor với nồng độ x 1015 cm–3 Ta có bán dẫn N với n = ND = x 1015 cm–3 Suy ra: EF – Ei = kT ln(n/ni) = kT ln(ND/ni) = 0.026 ln(3 x 1015 / 1010) » 0.33 eV Ta có bán dẫn P với p = NA = x 1015cm–3 Suy ra: Ei – EF = kT ln(p/ni) = kT ln(NA/ni) = 0.026 ln(5 x 1015 / 1010) » 0.34 eV … VLBD_AY1516-S2_BT giải sẵn – trang 6/7 26 Bán dẫn Si pha tạp chất X1 cho bán dẫn SC1 Fermi F1= –0.2V, bán dẫn pha tạp chất X2 cho bán dẫn SC2 Fermi F2= –0.3V Bán dẫn SC1, SC2 bán dẫn loại gì? So… có sẵn phần điện tử dãi dẫn dải dẫn hóa trị phủ lấp  Bán dẫn: Eg = EC – EV nhỏ ( Eg < eV)  Cách điện: Eg lớn (Eg > eV) 12 Bán dẫn gián tiếp bán dẫn trực tiếp gì? Cho thí dụ với loai BG   Bán. .. với loai BG   Bán dẫn gián tiếp bán dẫn mà điện tử dịch chuyển dải dẫn dải hóa trị cần có thay đổi momentum TD: Si Bán dẫn trực tiếp bán dẫn mà điện tử dịch chuyển dải dẫn dải hóa trị khơng

– Xem thêm –

Xem thêm: Bài Tập Giải Sẵn Vật lý Bán Dẫn,

Xem thêm: Chương 1: Vật liệu bán dẫn doc

Source: https://vh2.com.vn
Category : Điện Tử